Back to search

POS-ERC-Støtte til ERC søkere som oppnår god evaluering

Renew - Ferroelectric Gate oxide for next generation electronics

Awarded: NOK 0.50 mill.

Det opprinnelig søkte prosjektet, FerroGate, har som mål å flytte grenser for elektronikk ved å introdusere nye materialer i konvensjonelle transistorer. Dette dreier seg først og fremst om å bytte ut tradisjonelle isolerende oksider med nye ferroelektriske oksider. Ferroelektriske materialer har innebygd polarisering, og transistoren vil dermed "huske" sin tilstand selv etter at spenningen over transistoren er skrudd av. Dette får fire svært viktige og virkningsfulle effekter: 1. Transistoren blir ikke-volatil og "husker" sin tilstand selv uten påsatt spenning, altså når enheten er skrudd av. 2. Ikke-volatile transistorer gir anledning til å kombinere minne og beregning i samme enhet. Dette fjerner behovet for dataoverføring mellom minne og prosessor. 3. Kombinert minne og beregning gir anledning til å utvikle fysiske neuromorfe kretser. Dette er analogt med en biologisk hjerne, og åpner for helt andre typer databehandling. 4. Enheter bygget på ferroelektriske oksider vil senke energiforbruket drastisk da spenningen som kreves for å endre tilstanden blir drastisk lavere. I tillegg kan man "pulse" spenningen; man trenger ikke kontinuerlig påsatt spenning. Teoretisk reduksjon i strømforbruk for slike transistorer er 99 %.

Funding scheme:

POS-ERC-Støtte til ERC søkere som oppnår god evaluering