All2GaN

Beskrivelsen av oppgaven for Delta i All2GaN prosjektet er å lage en demonstrator basert på komponentene i dette prosjektet Demonstratoren er en strømforsyning som dkal brukes i et datasenter med ytelse som er oppsummert nedenfor; 3kw/48Vdc med 230vac inngang med svært høy effektivitet, tetthet og lav pris. Effektivitet 97,5 %, mål 98 % Effekt tetthet 40W/tommer3 eller mer som en funksjon av maksimal omgivelsestemperatur på 55°C. Salgspris på 8-10 cent/W. Utfordring; Termisk og overstrøms beskyttelse for GaN-transistor for pålitelighet. Forestilt løsning. Ved å forenkle kretsen og designen ved å bruke GaN-transistor med driverkostnad, kan ytelse og pålitelighet oppnås. Innovasjon. Gan transistor med driver forenkler designet og øker robustheten samt pålitlighet. 3kW likeretteren vil bruke GaN-transistoren med integrert driver i PFC . Den integrerte driveren med innebygd beskyttelses funksjon for reduserte kostnader og økt pålitelighet, noe som er ekstremt viktig for Delta og våre kunder. 3kW/48Vdc likeretter. Som demonstrator for Gan transistor med integrert driver, vil Delta fokusere på 3kW/48Vdc likeretteren. Denne likeretteren har en totempæl PFC, LLC med variabel frekvens og driftssyklus fra 120kHz til 320kHz og to fulle bro likerettingsutganger parallelt. Delta har utviklet to spesifikasjoner på 100VGaN transistor med driver og 650VGaN transistor med driver som er delt i prosjektet. For PFC og LLC designet Delta en diskret plugg in PCB kort med 42mO Infineon Gan transistor med ekstern driver og galvanisk driver. Hovedkortet til 3kW likeretteren har to plugg in PCB kort for PFC og LLC. Synkron likeretterne, 8 stk ligger på styrekortet som også er av plugg inn type. Alle KPI som virkningsgrad, kost og effekt tetthet er under kontroll.

Advance the methods to evaluate and optimize reliability and robustness of GaN components, modules, and systems for shortest time-tomarket and maximum product availability at the end user O7: Demonstrate highest affordable performance for greener power electronics and RF applications O8: Road-mapping for the future GaN technology development and applications to support long-term exploitation/ business cases and European leadership beyond ALL2GaN. The collaboration in ALL2GaN is based on a work package structure covering activities on novel power- and RF-GaN technologiesfor various voltage classes, latest packaging technologies, research on reliability and demonstration in 11 Use Cases.