Dette er et nytt EU-prosjekt med Infineon i førersetet sammen med 40 andre bedrifter fra forskningsnivå til FoU, pålitelighet og anvendelse.
Prosjektets lengde er 3 år med start 1. mai 2023.
Hovedfokus er å integrere driveren i GaN-transistoren.
Integrert isolert driver som kan kjøres fra 5V inngangssignaler.
Termisk beskyttelse
Strømbegrensning og beskyttelse
Slå på GaN-transistor under frihjul/diodedrift.
Integrert isolert driver som kan kjøres fra 5V inngangssignaler eller valgfri separat isolert driver.
Overordnet mål er;
Sikre pålitelig drift.
Kostnadseffektiv drift
Prosjektet er delt inn i 7 WP (arbeidspakke) og Eltek i applikasjon WP6.
Eltek vil jobbe med 1000W lavpris/høyeffektiv likeretter og 3kW likeretter til Delta.
Advance the methods to evaluate and optimize reliability and robustness of GaN components, modules, and systems for shortest time-tomarket and maximum product availability at the end user O7: Demonstrate highest affordable performance for greener power electronics
and RF applications O8: Road-mapping for the future GaN technology development and applications to support long-term exploitation/
business cases and European leadership beyond ALL2GaN.
The collaboration in ALL2GaN is based on a work package structure covering
activities on novel power- and RF-GaN technologiesfor various voltage classes, latest packaging technologies, research on reliability and
demonstration in 11 Use Cases.