Tilbake til søkeresultatene

IKTPLUSS-IKT og digital innovasjon

All2GaN

Alternativ tittel: All2GaN

Tildelt: kr 4,3 mill.

Dette er et nytt EU-prosjekt med Infineon i førersetet sammen med 40 andre bedrifter fra forskningsnivå til FoU, pålitelighet og anvendelse. Prosjektets lengde er 3 år med start 1. mai 2023. Hovedfokus er å integrere driveren i GaN-transistoren. Integrert isolert driver som kan kjøres fra 5V inngangssignaler. Termisk beskyttelse Strømbegrensning og beskyttelse Slå på GaN-transistor under frihjul/diodedrift. Integrert isolert driver som kan kjøres fra 5V inngangssignaler eller valgfri separat isolert driver. Overordnet mål er; Sikre pålitelig drift. Kostnadseffektiv drift Prosjektet er delt inn i 7 WP (arbeidspakke) og Eltek i applikasjon WP6. Eltek vil jobbe med 1000W lavpris/høyeffektiv likeretter og 3kW likeretter til Delta.

Advance the methods to evaluate and optimize reliability and robustness of GaN components, modules, and systems for shortest time-tomarket and maximum product availability at the end user O7: Demonstrate highest affordable performance for greener power electronics and RF applications O8: Road-mapping for the future GaN technology development and applications to support long-term exploitation/ business cases and European leadership beyond ALL2GaN. The collaboration in ALL2GaN is based on a work package structure covering activities on novel power- and RF-GaN technologiesfor various voltage classes, latest packaging technologies, research on reliability and demonstration in 11 Use Cases.

Budsjettformål:

IKTPLUSS-IKT og digital innovasjon

Temaer og emner

Ingen temaer knyttet til prosjektet