ICE 2016: New process for production of ultra pure Silicon Carbide (UP-SiC)

Prosjektet, som er et samarbeid mellom Washington Mills AS og Universitet i Oslo (UiO), har som målsetning å utvikle en metode for produksjon av høy rent silisiumkarbid (SiC) pulver som er egnet som utgangsmateriale for produksjon av elektronikkomponenter. Prosjektet har pågått siden 2013 og har oppnådd gode resultater. Washington Mills har klart å lage SiC pulvere med svært lave nivåer av metallforurensinger. Resultatene er repeterbare både i liten- og pilotscala. Flere enkrystaller er produsert fra det høyrene SiC pulveret og viser at det egner seg godt for groing av enkrystaller for elektronikkindustrien. Flere skiver fra disse krystallene har blitt karakterisert ved UiO og de har laget to forskjellige elektroniske komponenter som viser gode elektriske egenskaper, disse egenskapene er på nivå med de man får fra kommersielt tilgjengelige SiC krystaller. I tillegg til karakterisering av elektriske egenskaper har UiO utviklet en metode for å analysere jerninnhold ved hjelp av SIMS («Secondary Ion Mass Spectrometry») både for SiC krystaller og pulvere. Det siste året av prosjektet har det blitt fokusert på opp-skalering av produksjonen for å være i stand til å levere varer til et økende marked for disse produktene.

The purpose of the ICE 2016 project is to develop an economical feasible process for production of pure Silicon Carbide for semiconductors and other application areas such as advanced technical ceramics, coatings and composites. The availability of high purity SiC for such application is limited. Since the number of high purity SiC producers is low, and that these companies have their own proprietary processes (active patents), other competitors are prohibited to utilize these production methods. Thus, W ashington Mills' objective is to develop its own process for production of SiC powder with higher quality and lower production cost than its competitors. The main R&D challenges will be development of a cost effective method for production of high purit y SiC powder through the whole production chain, and thereafter characterization and verification of the powder quality.